合肥长鑫存储（长鑫科技）2026年最新重点新闻汇总（截至6月6日） ## 一、IPO上市重大进展（核心热点） 1. **5月27日科创板顺利过会**，进入证监会注册阶段，预计**6-7月正式挂牌上市**，IPO拟募资**295亿元**，为科创板史上第二大募资IPO项目。资金用途：75亿元现有产线改造、180亿元DRAM与HBM高端技术研发、剩余补充流动资金。 2. 机构预估上市后整体估值**1.5万亿～3万亿元**，合肥国资合计持股约36.79%，账面浮盈近万亿。 ## 二、业绩扭亏，盈利爆发（2026财报） 1. **2026年一季度：营收508亿元（同比+719%），归母净利润247.62亿元**，彻底扭转2023、2024连续大额亏损局面。 2. 公司预告**2026上半年营收1100～1200亿元、净利润500～570亿元**，一次性抹平建厂十年累计亏损。 3. 受益AI算力需求爆发、全球DRAM涨价90%+，三星/美光/海力士产能转向HBM，消费级DRAM供给紧缺，长鑫满载生产、下游客户预付款排队提货。 ## 三、重磅员工股权激励（5月落地） 董事长朱一明拿出个人所持**7.68亿股（一半股权）**全员股权激励，授予价格仅0.108元/注册资本，整体激励市值最高超200亿元，A股历史最大个人股权激励，股份锁定期20年，绑定核心研发与产业人才。 ## 四、产能扩建布局（合肥+上海双线落地） 1. **合肥现有基地**：合肥、北京合计3座12英寸晶圆厂，当前月产能30万片；2026年二季度启动厂区扩产招标，全年新增5～6万片/月产能，**2026年末总产能35～40万片/月**，主力量产16nm G4工艺DDR5内存（良率90%、速率8000Mbps）。 2. **上海临港超级工厂（2026.3动工）**：规划总月产能40～60万片（合肥现有产能2～3倍），配套**月产5万片HBM3专属产线**，配套HBM封测工厂2026年底投产、2027年初HBM产线量产。 ## 五、高端HBM、新品技术突破 1. **HBM3**：已向**华为昇腾**等国内AI厂商送样16nm自研HBM3样品，**2026年底小批量试产、2027年全面量产**，跳过HBM2E直接对标国际主流HBM3标准，切入国产AI服务器产业链。 2. 移动端：与**高通达成战略合作**，联合定制手机LPDDR5X内存方案，产品2026下半年量产，主攻国内智能手机市场；LPDDR5X全规格颗粒、模组实现规模化量产。 3. 工艺迭代：15nm G5工艺研发收尾，计划2026年末进入量产阶段。 ## 六、行业地位与产业链 当前长鑫为**全球第四大DRAM原厂（三星、SK海力士、美光、长鑫）、国内唯一自主量产DRAM企业**，当前全球DRAM产能占比约11%，目标2027年全球市占突破15%；设备国产化率突破45%，持续拉动国内半导体设备产业链订单增长。